웨이퍼 금속 오염 분석기

Vaizer VPD ICPMS

• 8인치 12인치 반도체 웨이퍼 및 필름 오염 분석 장비
• 실리콘 웨이퍼 표면 오염 분석, 산화막 오염 분석
• 실리콘 웨이퍼 표면 또는 실리콘 산화막의 약 34종 금속 오염 분석
• VPD를 이용하여 웨이퍼 표면 처리 또는 실리콘 위 산화막을 식각시켜 전사되는 금속 오염을 수집하여 ICPMS를 이용해 Sub ppb 단위로 분석함

Performance

• High throughput: > 3 WPH(6 WPH for expended model)
• Etch rate : > 30 nm/min
• Nexion 2000 ICPMS(or higher, Perkin Elmer)
• Auto-calibration linearity: > 99.5 up to 34 species
• Ultralow detection limit(<0.05 ppb, 108 -109 atoms/cm2)
• Auto preparation of chemical solutions

Fab Integration

• Fully automated OHT interface and SECS-GEM